据行业消息人士透露，全球知名存储芯片制造商KIOXIA（铠侠）已调整其3D NAND闪存产品路线图，将第十代BiCS FLASH产品的量产时间推迟至2027年。这一决策较此前市场传言的2026年量产计划有所延后，具体投资规模和产能规划预计将在2026年下半年逐步明朗。
作为技术迭代的关键节点，BiCS10闪存将采用332层堆叠架构，较当前主流的BiCS8技术实现位密度59%的提升。该产品支持4.8Gbps高速I/O接口，可满足数据中心、人工智能等高性能计算场景对存储带宽的严苛要求。技术突破方面，铠侠通过优化存储单元与外围电路的集成方式，在保持芯片尺寸稳定的前提下实现了容量跃升。
在技术演进路径上，铠侠此前已在BiCS8世代引入CBA（CMOS直接键合到存储阵列）架构，通过解耦存储单元与外围电路的制造工艺，显著提升了良品率和生产灵活性。基于该架构的BiCS9产品已于2025年完成样品验证，采用最新CMOS工艺与成熟存储单元技术的组合方案，为后续技术迭代奠定基础。
市场分析认为，此次量产计划调整既反映了3D NAND技术向更高层数突破面临的工程挑战，也体现了铠侠对市场需求节奏的审慎评估。随着人工智能训练规模指数级增长，以及边缘计算设备对本地存储性能要求的提升，高密度、低延迟的3D NAND解决方案正成为存储产业竞争焦点。铠侠通过延长技术验证周期，旨在确保新产品在性能、成本和可靠性维度达到综合最优。
