铠侠BiCS10 3D NAND闪存计划2027年量产 堆叠层数达332层性能再升级

存储行业传来新动态，铠侠（KIOXIA）正积极推进其新一代BiCS FLASH产品的研发与量产计划。据业内消息人士透露，铠侠原计划于2026年量产第十代BiCS FLASH产品，如今这一时间节点已推迟至2027年，相关投资细节预计在2026年下半年会更加明朗。

在存储技术革新方面，铠侠一直走在前列。在BiCS8世代，铠侠引入了CBA架构，即CMOS直接键合到存储阵列，这一创新举措成功解耦了NAND中存储单元和外围电路的制造，为存储技术的发展带来了新的思路。基于现有的存储单元技术和最新的CMOS技术，铠侠的BiCS9产品已于去年顺利出样，展现出其在技术研发上的强劲实力。

即将到来的BiCS10更是备受瞩目。它将存储单元的堆叠层数大幅提升至332层，这一突破旨在满足未来市场对更大容量、更高性能存储解决方案的迫切需求。同时，该闪存支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较于现有的BiCS8提升了59%，有望在存储性能和容量上实现质的飞跃，为数据存储领域带来新的变革。