晶合集成公开图像传感器及其制备方法专利

企查查数据显示，晶合集成（02249.HK）公开图像传感器及其制备方法专利，申请日期为2026年8月21日。专利摘要显示，本公开涉及一种图像传感器制备方法及图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：P型的衬底，以及内嵌于衬底内且沿平行于衬底的第一方向依次分布的光电二极管、埋入栅及读出二极管；光电二极管、读出二极管在相同工艺步骤中同期制备而成；光电二极管、读出二极管均包括沿背离衬底的第二方向依次层叠的N型外延叠层、P型外延层；埋入栅包括沿第二方向依次层叠的第一控制栅、沟道层及第二控制栅，沟道层的底面低于衬底顶面。至少能够提高图像传感器的电子传输效率。
本文为AI基于商业动态数据生成，仅供参考。