三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM 将DRAM直接堆叠在计算芯片上

格隆汇8月24日｜综合市场消息，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。

三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。三星在演讲总结中表示："通过掌握先进封装与统一SoC-DRAM协同设计，我们将突破制约AI系统的功耗、面积与容量瓶颈，为未来数年更高效率、更高性能、更强可扩展性铺平道路。"